晶湛半导体成立于2012年，坐落于苏州市工业园区，致力于第三代半导体关键材料-氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 作为国内第三代半导体氮化镓技术和产业化的领军企业，晶湛半导体在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术，拥有完全独立的自主知识产权。截止2023年8月，晶湛半导体在国内外累计申请600多项专利，已获取160余项授权。 晶湛半导体将一直秉承着“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”。